K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-BF70T Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K6X0808C1D-GF55T tarafından Samsung Electro-Mechanics ve K6X0808C1D-BF70T tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K6X0808C1D-GF55T | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| Kategori | DRAM | DRAM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Bellek Boyutu | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Organizasyon | 32K x 8 | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Besleme Gerilimi | 5.0 V | — |
| Arayüz | Parallel | — |
| Process Technology | Full CMOS | CMOS |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Paket | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +85C (TA) |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Active Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Data Retention Voltage | Low data retention voltage supported (per datasheet) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Address Bus Width | 15 bit | 15 bit (A0-A14) |
| Veri Bus Genişliği | 8 bit | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (T suffix) | — |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |
| Refresh Requirement | — | None (fully static operation) |