K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-BF70T موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6X0808C1D-GF55T بذریعہ Samsung Electro-Mechanics اور K6X0808C1D-BF70T بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K6X0808C1D-GF55T | K6X0808C1D-BF70T |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| زمرہ | DRAM | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| میموری سائز | 256 Kbit | 256 Kbit |
| تنظیم | 32K x 8 | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| سپلائی وولٹیج | 5.0 V | — |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Process Technology | Full CMOS | CMOS |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پیکیج | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +85C (TA) |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Active Current | [DATA_NEEDED: active current] | — |
| Data Retention Voltage | Low data retention voltage supported (per datasheet) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Address Bus Width | 15 bit | 15 bit (A0-A14) |
| ڈیٹا بس چوڑائی | 8 bit | 8 bit (I/O0-I/O7) |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (T suffix) | — |
| Memory Organization | — | 32K x 8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 70 ns |
| Voltage - Supply | — | 4.5 V to 5.5 V |
| I/O Compatibility | — | TTL compatible |
| Refresh Requirement | — | None (fully static operation) |