M29F200FT55M3F2 vs M29F160FB55N3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F200FT55M3F2 tarafından Micron Technology ve M29F160FB55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F200FT55M3F2 M29F160FB55N3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Obsolete
Bellek Türü Parallel NOR Flash Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16777 kbits (16 Mbit)
Organizasyon 256K x 8 / 128K x 16 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Architecture Top Boot Block Bottom Boot Block
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40 to +125 C
Automotive Qualification Yes —
Paket 44-pin SO (TSOP) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free)
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
Besleme Gerilimi — 5 V
Arayüz — Parallel
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin