M29F400FT55M3E2 vs M29F800FT55N3E2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F400FT55M3E2 tarafından Micron Technology ve M29F800FT55N3E2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F400FT55M3E2 M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F400FT55M3E2 M29F800FT55N3E2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash NOR Flash
Bellek Boyutu 4 Mbit (4194 kbits) —
Organizasyon 512K x 8 / 256K x 16 —
Arayüz Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
Besleme Gerilimi 5 V 5 V
Number of Words 256 k —
Bits per Word 16 bits —
Programming Embedded byte/word program algorithms —
Erase Embedded program/erase controller, block erase —
Boot Block Top boot block —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C -40C to +125C
Paket 44-SO (SOP-44) 48-TSOP I
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
RoHS Durumu Compliant Compliant (E suffix = lead-free/RoHS)
Memory Organization — 512K x 16 (8 Mbit)
Density — 8389 kbits
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Word/Byte Configuration — BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit)
Hardware Reset / Power-Down — RP# pin
Embedded Program/Erase Controller — Yes (byte/word program, block erase)
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block (typical for family)
Data Retention — >20 years (typical for family)
Ready/Busy Output — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin