M29F400FT55M3E2 vs M29F800FT55N3E2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29F400FT55M3E2 بذریعہ Micron Technology اور M29F800FT55N3E2 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29F400FT55M3E2 M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29F400FT55M3E2 M29F800FT55N3E2
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash NOR Flash
میموری سائز 4 Mbit (4194 kbits) —
تنظیم 512K x 8 / 256K x 16 —
انٹرفیس Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
سپلائی وولٹیج 5 V 5 V
Number of Words 256 k —
Bits per Word 16 bits —
Programming Embedded byte/word program algorithms —
Erase Embedded program/erase controller, block erase —
Boot Block Top boot block —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40 C to +125 C -40C to +125C
پیکیج 44-SO (SOP-44) 48-TSOP I
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (E suffix = lead-free/RoHS)
Memory Organization — 512K x 16 (8 Mbit)
Density — 8389 kbits
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Word/Byte Configuration — BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit)
Hardware Reset / Power-Down — RP# pin
Embedded Program/Erase Controller — Yes (byte/word program, block erase)
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block (typical for family)
Data Retention — >20 years (typical for family)
Ready/Busy Output — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں