M29F400FT55M3E2 vs M29F800FT55N3E2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F400FT55M3E2 توسط Micron Technology و M29F800FT55N3E2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F400FT55M3E2 M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F400FT55M3E2 M29F800FT55N3E2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash NOR Flash
اندازه حافظه 4 Mbit (4194 kbits) —
سازمان 512K x 8 / 256K x 16 —
رابط Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
ولتاژ تغذیه 5 V 5 V
Number of Words 256 k —
Bits per Word 16 bits —
Programming Embedded byte/word program algorithms —
Erase Embedded program/erase controller, block erase —
Boot Block Top boot block —
دمای کاری -40 C to +125 C -40C to +125C
بسته‌بندی 44-SO (SOP-44) 48-TSOP I
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (E suffix = lead-free/RoHS)
Memory Organization — 512K x 16 (8 Mbit)
Density — 8389 kbits
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Word/Byte Configuration — BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit)
Hardware Reset / Power-Down — RP# pin
Embedded Program/Erase Controller — Yes (byte/word program, block erase)
Program/Erase Endurance — 100,000 cycles per block (typical for family)
Data Retention — >20 years (typical for family)
Ready/Busy Output — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت