M29W640GB70N3F vs M29W128GH70N3F Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W640GB70N3F tarafından Micron Technology ve M29W128GH70N3F tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W640GB70N3F M29W640GB70N3F - 64Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W640GB70N3F - 64Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W640GB70N3F Obsolete
Micron Technology
M29W128GH70N3F M29W128GH70N3F - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GH70N3F - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GH70N3F ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W640GB70N3F M29W128GH70N3F
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Obsolete Aktif
Bellek Türü NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 64 Mb (8 MB) 128 Mbit (16 MB)
Organizasyon x8 / x16 8M x16 / 16M x8
Access Time 70 ns 70 ns
Besleme Gerilimi 2.7 V to 3.6 V —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Qualification Automotive AEC-Q100 —
Paket 48-TSOP I 56-TSOP
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Program/Erase Interface Parallel command set with status polling —
Block Architecture Uniform block (GB variant) [DATA_NEEDED: block size/organization]
Part Status Obsolete —
RoHS Durumu Compliant (per JLCPCB listing) Compliant
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Read Current [DATA_NEEDED: active read current] —
Arayüz — Parallel
Supply Voltage (VCC) — 3 V (2.7 V to 3.6 V)
Erase/Program Cycles — [DATA_NEEDED: endurance rating]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]
CFI Compliant — Yes
Supply Current - Read — [DATA_NEEDED: ICC read]
Supply Current - Program/Erase — [DATA_NEEDED: ICC write]
Programming Voltage — Single supply (no separate VPP required)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin