M321R4GA0EB0-CWM vs M321R4GA3EB0-CWM Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M321R4GA0EB0-CWM tarafından Samsung Electronics ve M321R4GA3EB0-CWM tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
M321R4GA0EB0-CWM M321R4GA0EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA0EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA0EB0-CWM ✓ Aktif
Samsung Electronics
M321R4GA3EB0-CWM M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB0-CWM ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M321R4GA0EB0-CWM M321R4GA3EB0-CWM
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Capacity 32 GB 32 GB
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Module Type 288-Pin ECC Registered DIMM (RDIMM) ECC Registered DIMM (RDIMM)
Veri Hızı 5600 Mbps (DDR5-5600) 5600 MT/s (PC5-44800)
Bandwidth Class PC5-44800 PC5-44800 (44800 MB/s)
CAS Gecikme CL46 CL46
Operating Voltage 1.1 V 1.1 V
Rank x Organization 1R x 4 (Single Rank) —
Module Configuration 4G x 72 —
DRAM Component Organization 20 x FBGA 4G x 4 —
Pin Sayısı 288 —
ECC Yes (Registered ECC) Yes (Registered with ECC)
Application Server / Workstation —
Product Status Sample (per Elite Memory Solutions listing) —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Form Factor — 288-pin DIMM
Rank Configuration — 2Rx8 (Dual Rank)
Organizasyon — 4Gx72
DRAM Composition — 20 x FBGA 2Gx8 DDR5 DRAM
Configuration — 1 x 32 GB
Application Segment — Server / Datacenter
Marka — Samsung Electronics
GTIN / EAN — 5715328154490

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin