MT41K256M16TW-107 vs K4B4G1646D-BCK0 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT41K256M16TW-107 tarafından Micron Technology ve K4B4G1646D-BCK0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | MT41K256M16TW-107 | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | $14,10 | — |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4 Gbit | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Arayüz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | 800 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V | — |
| Veri Bus Genişliği | 16 bit | — |
| Paket | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0°C to 95°C (Tc) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Veri Hızı | — | 1600 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| CAS Gecikme | — | 11 (programmable) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |