MT41K256M16TW-107 vs K4B4G1646D-BCK0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K256M16TW-107 بذریعہ Micron Technology اور K4B4G1646D-BCK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT41K256M16TW-107 | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $14.10 | — |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | 800 MHz |
| Access Time | 20 ns | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | — |
| ڈیٹا بس چوڑائی | 16 bit | — |
| پیکیج | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0°C to 95°C (Tc) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| ڈیٹا ریٹ | — | 1600 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| CAS لیٹنسی | — | 11 (programmable) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |