N25Q256A83ESFA0F vs N25Q512A83G12A0F Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma N25Q256A83ESFA0F tarafından Micron Technology ve N25Q512A83G12A0F tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
N25Q256A83ESFA0F N25Q256A83ESFA0F - 256Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q256A83ESFA0F - 256Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q256A83ESFA0F ✓ Aktif
Micron Technology
N25Q512A83G12A0F N25Q512A83G12A0F - 512Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q512A83G12A0F - 512Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q512A83G12A0F ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre N25Q256A83ESFA0F N25Q512A83G12A0F
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori EEPROM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash, Serial SPI Flash - NOR Memory IC
Density 256 Mbit (32 MB) —
Organizasyon 32M x 8 128M x 4
Arayüz SPI, Multiple I/O (Single/Dual/Quad) SPI - Multiple I/O (Standard/Dual/Quad)
Max Clock Frequency 108 MHz —
Besleme Gerilimi 3 V (2.7 V to 3.6 V) 2.7 V to 3.6 V (3V class)
Technology 65nm NOR —
Sector Erase Size 4 KB 4 KB
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Özellikler Execute-In-Place (XIP), Advanced Write Protection —
Paket 16-SOIC Wide (16SO) 24-T-PBGA (6x8 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Grade Industrial —
Memory Capacity — 512 Mbit (64 MB)
Clock Frequency — 108 MHz
Cell Type — SLC
Package Structure — Dual-Die Package (DDP)
Program/Erase Protection — Software and hardware write protection
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin