N25Q512A83G12A0F vs N25Q512A13GSFA0F Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma N25Q512A83G12A0F tarafından Micron Technology ve N25Q512A13GSFA0F tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | N25Q512A83G12A0F | N25Q512A13GSFA0F |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | Flash - NOR Memory IC | SPI NOR Flash (Multiple I/O) |
| Memory Capacity | 512 Mbit (64 MB) | — |
| Organizasyon | 128M x 4 | 512M/256M/128M x 1Bit/2Bit/4Bit |
| Arayüz | SPI - Multiple I/O (Standard/Dual/Quad) | SPI-compatible serial bus |
| Clock Frequency | 108 MHz | — |
| Besleme Gerilimi | 2.7 V to 3.6 V (3V class) | 2.7 V to 3.6 V |
| Cell Type | SLC | — |
| Sector Erase Size | 4 KB | 4 KB |
| Paket | 24-T-PBGA (6x8 mm) | 16-Pin SOIC (SOP-II 16/16) |
| Package Structure | Dual-Die Package (DDP) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Program/Erase Protection | Software and hardware write protection | — |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 512 Mbit (64 MByte) |
| Max Clock Frequency (STR) | — | 108 MHz |
| Max Clock Frequency (DTR) | — | 54 MHz |
| Access Time | — | 7 ns |
| Construction | — | Stacked device (two 256Mb die) |
| Protocols | — | Standard, Dual Output, Dual I/O, Quad Output, Quad I/O, DTR |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Temperature Grade | — | Automotive |