UCC21550BDWR vs UCC21550AQDWKRQ1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma UCC21550BDWR tarafından Texas Instruments ve UCC21550AQDWKRQ1 tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Texas Instruments
UCC21550AQDWKRQ1 UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 - 4A/6A 5kVRMS Isolated Gate Driver | TI

UCC21550AQDWKRQ1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre UCC21550BDWR UCC21550AQDWKRQ1
Marka Texas Instruments Texas Instruments
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Çıkış Konfigürasyonu Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge) —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Capacitive coupling, reinforced isolation —
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) > 125 V/ns —
VDD Output Supply Range Up to 25 V —
UVLO Threshold 8 V (VDD UVLO) —
Programmable Dead Time Yes —
Disable Function Yes Yes (DIS pin)
Junction Temperature Range -40 C to +150 C —
Paket 16-SOIC (DW) 14-SOIC (DWK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Driven Devices Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Product Type — Reinforced isolated dual-channel gate driver
Number of Channels — 2
Isolation Technology — Capacitive coupling
Configuration — Two low-side, two high-side, or half-bridge
Dead Time — Programmable via DT pin
Input Threshold Logic — TTL and CMOS compatible
Target Switch Types — Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT
Qualification — Automotive (Q1)
Part Marking — 21550AQ
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Supply Voltage Range (VDD) — [DATA_NEEDED: Supply Voltage Range]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin