UCC21550BQDWRQ1 vs UCC21550ADWR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma UCC21550BQDWRQ1 tarafından Texas Instruments ve UCC21550ADWR tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre UCC21550BQDWRQ1 UCC21550ADWR
Marka Texas Instruments Texas Instruments
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type Dual-channel reinforced isolated gate driver —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Capacitive coupling Reinforced, capacitive coupling
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
Isolation Grade Reinforced isolation —
Number of Channels 2 2 (dual)
Configuration Two low-side / two high-side / half-bridge Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
Dead Time Programmable (external resistor) Programmable
Disable Function Yes Yes (DISABLE pin)
UVLO Threshold 8 V (driver supply) —
Target Transistors Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified (Q1) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Paket 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Besleme Gerilimi [DATA_NEEDED: VCCI / VDD operating range] —
Common-Mode Transient Immunity [DATA_NEEDED: CMTI value] —
CMTI — > 125 V/ns
Max VDD Output Supply — 25 V
UVLO Threshold Option — 5 V
Driven Devices — Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT
Junction Temperature Range — -40C to +150C
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin