UCC21550BQDWRQ1 vs UCC21550ADWR موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از UCC21550BQDWRQ1 بذریعہ Texas Instruments اور UCC21550ADWR بذریعہ Texas Instruments. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Texas Instruments
UCC21550ADWR UCC21550ADWR - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550ADWR - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550ADWR ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر UCC21550BQDWRQ1 UCC21550ADWR
برانڈ Texas Instruments Texas Instruments
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Driver Type Dual-channel reinforced isolated gate driver —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Capacitive coupling Reinforced, capacitive coupling
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
Isolation Grade Reinforced isolation —
Number of Channels 2 2 (dual)
Configuration Two low-side / two high-side / half-bridge Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
Dead Time Programmable (external resistor) Programmable
Disable Function Yes Yes (DISABLE pin)
UVLO Threshold 8 V (driver supply) —
Target Transistors Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified (Q1) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
پیکیج 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ سپلائی وولٹیج [DATA_NEEDED: VCCI / VDD operating range] —
Common-Mode Transient Immunity [DATA_NEEDED: CMTI value] —
CMTI — > 125 V/ns
Max VDD Output Supply — 25 V
UVLO Threshold Option — 5 V
Driven Devices — Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT
Junction Temperature Range — -40C to +150C
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں