2ED21844S06JXUMA1 vs 6EDL04N02PRXUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2ED21844S06JXUMA1 بذریعہ Infineon اور 6EDL04N02PRXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | 2ED21844S06JXUMA1 | 6EDL04N02PRXUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Driver Configuration | Half-Bridge | Half-bridge (3 high-side + 3 low-side) |
| Number of Drivers | 2 (high-side + low-side) | — |
| Input Type | Non-Inverting | — |
| Blocking Voltage (Voffset) | 650 V | — |
| Output Current (Source/Sink) | 2.5 A typical | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | Integrated (BSD) on all 3 high-side drivers |
| Supply Voltage (VCC) | 10 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range] | — |
| Propagation Delay (Typ.) | 200 ns [DATA_NEEDED: matching value] | — |
| Input Logic Compatibility | TTL/CMOS 3.3 V and 5 V | CMOS / LSTTL, 3.3 V and 5 V |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | Yes, both HS and LS rails | — |
| Shutdown Pin | Yes | — |
| Negative VS Transient Immunity | -100 V typical | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40 C to +125 C | -40 °C to +125 °C |
| پیکیج | PG-DSO-14-49 (DSO-14) | PG-TSSOP-28 (28-pin, 4.40 mm width, exposed pad) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL3 (per JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: confirm level]) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Product Type | — | 3-Phase Gate Driver IC |
| Maximum Blocking Voltage | — | +180 V (VS referenced to GND for high side) |
| Rated Supply Voltage (VCC) | — | 200 V class (operating range 10 V to 20 V on VCC) |
| Source Current (typ.) | — | 0.375 A |
| Sink Current (typ.) | — | 0.75 A |
| Over-Current Protection | — | Yes (single-shunt, ITRIP/CIN pin) |
| Enable Pin (EN) | — | Yes (active-high) |
| Fault Output (nFAULT) | — | Yes (active-low, open-drain) |
| Interlocking / Anti-shoot-through | — | Yes (built-in per phase pair) |
| Process Technology | — | Thin-film SOI (Silicon-On-Insulator) |
| Maximum Junction Temperature | — | +150 °C |
| Target Switches | — | MOSFETs up to 180 V, IGBTs up to 180 V |