AS4C512M16D4B-62BCNTR vs K4A8G165WB-BCTD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از AS4C512M16D4B-62BCNTR بذریعہ Alliance Memory اور K4A8G165WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر AS4C512M16D4B-62BCNTR K4A8G165WB-BCTD
برانڈ Alliance Memory Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit (512M x 16) —
ڈیٹا ریٹ 3200 MT/s 2666 Mbps
Clock Frequency 1600 MHz —
CAS لیٹنسی 19 ns [DATA_NEEDED: CAS Latency]
سپلائی وولٹیج 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
انٹرفیس Parallel DDR4 (parallel, double data rate)
پیکیج 96-FBGA (7.5x13 mm) 96FBGA
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to 95°C 0C to +85C
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (BGA)
JEDEC Standard Compliant —
تنظیم 512M x 16 512M x 16
Revision Rev.B —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (per JLCPCB listing: ROHS)
Lead-Free Yes —
Density — 8 Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Die Generation — B-die
Data Mask — Supported (DM per x16 lane)
ZQ Calibration — Supported
Dynamic On-Die Termination — Supported
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: Refresh Rate]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL Level]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں