AS4C512M16D4B-62BCNTR vs K4A8G165WB-BCTD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار AS4C512M16D4B-62BCNTR توسط Alliance Memory و K4A8G165WB-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ فعالSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | AS4C512M16D4B-62BCNTR | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| برند | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| نرخ داده | 3200 MT/s | 2666 Mbps |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| تأخیر CAS | 19 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| رابط | Parallel | DDR4 (parallel, double data rate) |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| دمای کاری | 0°C to 95°C | 0C to +85C |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Revision | Rev.B | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | B-die |
| Data Mask | — | Supported (DM per x16 lane) |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |