BSC009NE2LSATMA1 vs BSC010NE2LSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC009NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC010NE2LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC009NE2LSATMA1 | BSC010NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 25V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS (Trench) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_a | 41 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_c | 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 255 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (T_a) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (T_c) | 96 W | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (TJ) | -55C to +150C (TJ) |
| پیکیج / کیس | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 8 | 8 |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Series / Family | — | OptiMOS 25V |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 96 W |
| پیکیج | — | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Rds(on) at 10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] |
| Rds(on) at 4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |