BSC050N04LSGATMA1 vs BSZ120P03NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC050N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ120P03NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC050N04LSGATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) 18 A —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 57 W —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) OptiMOS P3
پیکیج PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55C to +150C
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse avalanche) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 1
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (TA=25C) — -11 A
Continuous Drain Current (TC=25C) — -40 A
Power Dissipation (TA=25C) — 2.1 W
Power Dissipation (TC=25C) — 52 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 12 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — -1.7 V
Lead-Free — Yes
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں