BSC050N04LSGATMA1 vs BSZ120P03NS3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC050N04LSGATMA1 توسط Infineon و BSZ120P03NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC050N04LSGATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) 18 A —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 57 W —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) OptiMOS P3
بسته‌بندی PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C -55C to +150C
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse avalanche) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 1
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (TA=25C) — -11 A
Continuous Drain Current (TC=25C) — -40 A
Power Dissipation (TA=25C) — 2.1 W
Power Dissipation (TC=25C) — 52 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 12 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — -1.7 V
Lead-Free — Yes
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت