BSC0911NDATMA1 vs IPD031N03LGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC0911NDATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD031N03LGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC0911NDATMA1 | IPD031N03LGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (2 N-CH) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 30 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W | — |
| پیکیج | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +175 °C (junction) |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 |
| Gate Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C | — | 90 A (Tc) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 94 W (Tc) |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 3.1 mΩ |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] |
| Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) | — | 4.5 V, 10 V |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] |
| Output Charge (Qoss) | — | Ultra low (per datasheet tagline) |
| Mounting Tab | — | Drain (electrically connected) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) |