BSC155N06NDATMA1 vs IPD5N25S3430ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC155N06NDATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD5N25S3430ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSC155N06NDATMA1 | IPD5N25S3430ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC155N06NDATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel trench) | OptiMOS (planar-trench) |
| Configuration | Dual N-channel MOSFET array | Single, 3-pin (2+Tab) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 20 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 15.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Power Dissipation (Tc=25C) | 50 W | — |
| MSL لیول | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Pb-free plating) | ROHS3 Compliant |
| Lead-Free Plating | Yes | — |
| Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs | < 0.8 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 5 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 430 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3 V typ / 4 V max |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 422 pF typical |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 41 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead Finish | — | Matte Tin (lead-free) |