BSP295H6327XTSA1 vs IRFL4315TRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP295H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور IRFL4315TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSP295H6327XTSA1 | IRFL4315TRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C | 1.8 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C | 1.8 W | — |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 300 mΩ | — |
| پیکیج | PG-SOT223-4 (3 leads + tab) | SOT-223 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C | [DATA_NEEDED: T_J min/max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Tape and Reel Packing Code | H6327 (7-inch reel) | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Technology | Planar N-channel MOSFET | IR MOSFET™ (planar/HEXFET-style) |
| Drain Tab Connection | Pin 4 (tab) | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at 25°C | — | 2.6 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: I_DM rating] |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 185 mΩ |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge Q_G | — | 12 nC |
| Gate-to-Source Voltage V_GS | — | ±30 V (max) |
| Continuous Source Current (Body Diode I_S) | — | 1.6 A |
| di/dt (Body Diode) | — | 230 A/μs |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.8 W |
| Qualification Standard | — | Industrial market (per Infineon datasheet) |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-free (PBF suffix); RoHS compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (TRPBF) |