BSS84PH6327XTSA2 vs BSS126H6327XTSA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS84PH6327XTSA2 بذریعہ Infineon اور BSS126H6327XTSA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 - -60V P-Ch MOSFET 170mA SOT-23 | Infineon

BSS84PH6327XTSA2 - -60V P-Ch MOSFET 170mA SOT-23 | Infineon

BSS84PH6327XTSA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS84PH6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS84PH6327XTSA2 —
FET Type P-Channel N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -170 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 8 ohm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
پیکیج PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Technology Family SIPMOS OptiMOS —
Polarity P-Channel Enhancement Mode —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction, typical)
پن کی تعداد — 3
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
ہیلوجن فری — Yes (Infineon 'green' package)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں