BSS84PH6327XTSA2 vs BSS126H6327XTSA2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS84PH6327XTSA2 מאת Infineon ו BSS126H6327XTSA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 - -60V P-Ch MOSFET 170mA SOT-23 | Infineon

BSS84PH6327XTSA2 - -60V P-Ch MOSFET 170mA SOT-23 | Infineon

BSS84PH6327XTSA2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSS84PH6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS84PH6327XTSA2 —
FET Type P-Channel N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -170 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 8 ohm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
מארז PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -55C to +150C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Technology Family SIPMOS OptiMOS —
Polarity P-Channel Enhancement Mode —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (junction, typical)
מספר פינים — 3
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
רמת MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
נטול הלוגנים — Yes (Infineon 'green' package)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר