BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ150N10LS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ036NE2LSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ150N10LS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ036NE2LSATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C —
MSL لیول 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Part Number — BSZ150N10LS3GATMA1
Technology / Family — OptiMOS 3
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 15 mΩ
Power Dissipation (TA=25 °C) — 2.1 W
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 63 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55 °C to +150 °C
Gate Threshold VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Lead-Free / Reflow — Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں