BSZ130N03LSGATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ130N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N06NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ130N03LSGATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 25V / 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Ta=25 C) 10 A —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) 35 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 13 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA 2.2 V —
Power Dissipation (Ta) 2.1 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 25 W 69 W
پیکیج PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes Yes (per Infineon product page)
Qualification Industrial / Commercial (non-automotive) —
Product Family — OptiMOS 3
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
RoHS Compliance — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں