BSZ215CHXTMA1 vs BSZ0501NSIATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ215CHXTMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ0501NSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ215CHXTMA1 BSZ215CHXTMA1 - 20V N+P Complementary MOSFET | Infineon

BSZ215CHXTMA1 - 20V N+P Complementary MOSFET | Infineon

BSZ215CHXTMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ215CHXTMA1 BSZ0501NSIATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel and P-Channel Complementary N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) 20 V 30 V
Continuous Drain Current - N-channel (Id) 5.1 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id) 3.2 A —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W —
On-State Resistance - N-channel max (Rds(on)) [DATA_NEEDED: N-channel Rds(on)] —
On-State Resistance - P-channel max (Rds(on)) [DATA_NEEDED: P-channel Rds(on)] —
Technology OptiMOS (enhancement mode) —
پیکیج PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C [DATA_NEEDED: Tj max]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes (100% lead-free) —
Avalanche Rated Yes —
Part Number — BSZ0501NSIATMA1
Product Family — OptiMOS 5 (25V/30V)
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C — 25 A
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (Pd) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (Pd) at TC=25C — 50 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Configuration — Single with built-in diode
Number of Terminals — 8
JESD-609 Code — e3 (matte tin)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at Vgs=10V (typ) — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں