BSZ215CHXTMA1 vs BSZ0501NSIATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ215CHXTMA1 توسط Infineon و BSZ0501NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSZ215CHXTMA1 BSZ215CHXTMA1 - 20V N+P Complementary MOSFET | Infineon

BSZ215CHXTMA1 - 20V N+P Complementary MOSFET | Infineon

BSZ215CHXTMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSZ215CHXTMA1 BSZ0501NSIATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel and P-Channel Complementary N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) 20 V 30 V
Continuous Drain Current - N-channel (Id) 5.1 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id) 3.2 A —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W —
On-State Resistance - N-channel max (Rds(on)) [DATA_NEEDED: N-channel Rds(on)] —
On-State Resistance - P-channel max (Rds(on)) [DATA_NEEDED: P-channel Rds(on)] —
Technology OptiMOS (enhancement mode) —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C [DATA_NEEDED: Tj max]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (100% lead-free) —
Avalanche Rated Yes —
Part Number — BSZ0501NSIATMA1
Product Family — OptiMOS 5 (25V/30V)
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C — 25 A
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (Pd) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (Pd) at TC=25C — 50 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Configuration — Single with built-in diode
Number of Terminals — 8
JESD-609 Code — e3 (matte tin)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at Vgs=10V (typ) — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت