CGD65A055S2 vs CGD65A055SH2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از CGD65A055S2 بذریعہ Cambridge GaN Devices اور CGD65A055SH2 بذریعہ Cambridge GaN Devices. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Cambridge GaN Devices
CGD65A055SH2 CGD65A055SH2 - 650V 55mΩ GaN HEMT ICeGaN® H2 | CGD

CGD65A055SH2 - 650V 55mΩ GaN HEMT ICeGaN® H2 | CGD

CGD65A055SH2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر CGD65A055S2 CGD65A055SH2
برانڈ Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
زمرہ Transistors MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Cambridge GaN Devices —
Technology GaN-on-Si HEMT (enhancement mode) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 650 V —
On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ —
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) 27 A —
Gate Technology ICeGaN™ (standard-driver compatible) —
Current Sense Pin Yes (integrated CS output) —
Integrated Protection Circuit NL³ (non-linear low-loss) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (zero, typical for GaN) —
پیکیج 16-pin DFN 8x8 mm 16-DFN (8x8 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode (normally-off) Enhancement-mode (normally-off)
RoHS اسٹیٹس Compliant (lead-free) —
Polarity Single FET N-Channel
Transistor Technology — Gallium Nitride (GaN-on-Si HEMT)
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 27 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 55 mΩ (typical, per family designation)
RDS(on) at specified ID/VGS — 77 mΩ at 2.2 A, VGS=12 V (per distributor data)
Gate Charge (Qg) — 4 nC at VGS=12 V
Gate-Source Voltage (VGS) Recommended — 12 V
Integrated Features — ICeGaN® Gate, Current Sense, NL³ Circuit
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +150 °C
ماؤنٹنگ اسٹائل — SMD/SMT
Application Target — AC-DC PFC, server SMPS, EV charging, motor drive
RoHS / Lead-Free — RoHS Compliant, Lead-Free (per distributor listing)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں