CGD65A055S2 vs CGD65A055SH2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של CGD65A055S2 מאת Cambridge GaN Devices ו CGD65A055SH2 מאת Cambridge GaN Devices. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Cambridge GaN Devices
CGD65A055SH2 CGD65A055SH2 - 650V 55mΩ GaN HEMT ICeGaN® H2 | CGD

CGD65A055SH2 - 650V 55mΩ GaN HEMT ICeGaN® H2 | CGD

CGD65A055SH2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר CGD65A055S2 CGD65A055SH2
מותג Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
קטגוריה Transistors MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Cambridge GaN Devices —
Technology GaN-on-Si HEMT (enhancement mode) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 650 V —
On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ —
זרם ניקוז רציף (TC=25°C) 27 A —
Gate Technology ICeGaN™ (standard-driver compatible) —
Current Sense Pin Yes (integrated CS output) —
Integrated Protection Circuit NL³ (non-linear low-loss) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (zero, typical for GaN) —
מארז 16-pin DFN 8x8 mm 16-DFN (8x8 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode (normally-off) Enhancement-mode (normally-off)
סטטוס RoHS Compliant (lead-free) —
Polarity Single FET N-Channel
Transistor Technology — Gallium Nitride (GaN-on-Si HEMT)
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 27 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 55 mΩ (typical, per family designation)
RDS(on) at specified ID/VGS — 77 mΩ at 2.2 A, VGS=12 V (per distributor data)
Gate Charge (Qg) — 4 nC at VGS=12 V
Gate-Source Voltage (VGS) Recommended — 12 V
Integrated Features — ICeGaN® Gate, Current Sense, NL³ Circuit
טמפרטורת צומת פעולה — -55 °C to +150 °C
סגנון הרכבה — SMD/SMT
Application Target — AC-DC PFC, server SMPS, EV charging, motor drive
RoHS / Lead-Free — RoHS Compliant, Lead-Free (per distributor listing)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר