GAN111-650WSB vs IGLD60R070D1AUMA3 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از GAN111-650WSB بذریعہ Nexperia اور IGLD60R070D1AUMA3 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Nexperia
GAN111-650WSB GAN111-650WSB - 650V 97mΩ GaN FET TO-247 | Nexperia

GAN111-650WSB - 650V 97mΩ GaN FET TO-247 | Nexperia

GAN111-650WSB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر GAN111-650WSB IGLD60R070D1AUMA3
برانڈ Nexperia Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Nexperia —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
On-Resistance RDS(on) (typ) 97 mΩ —
Continuous Drain Current (ID, at Ta) 21 A —
Power Dissipation (PD, at Ta) 107 W —
Technology GaN HEMT H2 (cascode, normally-off) GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off)
Polarity / Channel Type N-Channel —
پیکیج TO-247 (SOT429) through-hole, 3-lead PG-LSON-8-1 (LSON-8 with exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
Configuration Single FET —
Gate Drive Compatibility Standard silicon MOSFET gate drive (0-12 V typical) —
Operating Mode Normally-off (cascode) —
Target Applications SMPS, PFC, OBC, solar inverter, industrial drives —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Orderable Part Suffix WSBQ (tape-and-reel/ammopack) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 15 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 114 W
On-Resistance (RDS(on)) — 70 mΩ (typical, VGS = 10 V)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Output Charge (Qoss) — [DATA_NEEDED: Qoss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — Near zero (GaN technology)
Input Capacitance (Ciss) — 380 pF @ 400 V (per Utmel)
MSL لیول — 3
ہیلوجن فری — Yes
Operating Temperature (Tj) — [DATA_NEEDED: Tj max]
Series — CoolGaN™
Polarity — N-Channel
Packaging — Tape & Reel
Factory Pack Quantity — 3000

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں