H5AN8G6NDJR-XNC vs AS4C512M16D4A-62BIN موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NDJR-XNC بذریعہ SK hynix اور AS4C512M16D4A-62BIN بذریعہ Alliance Memory. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ فعال
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5AN8G6NDJR-XNC AS4C512M16D4A-62BIN
برانڈ SK hynix Alliance Memory
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $55.68 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gb 8 Gbit
Memory Organization 512M x16 —
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps 3200 Mbps per pin
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (max 1.26 V) —
پیکیج FBGA-96 (13x7.5 mm) 96-FBGA (7.5x13mm)
Number of Terminals 96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Input/Output Type COMMON —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Asynchronous Reset Yes —
تنظیم — 512M x 16
Clock Rate — 1600 MHz
سپلائی وولٹیج — 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40°C to +95°C
انٹرفیس — POD (Pseudo Open Drain)
CAS لیٹنسی — Programmable (e.g., 22 cycles)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
Lead Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں