H5AN8G6NDJR vs K4A8G085WB-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NDJR بذریعہ SK hynix اور K4A8G085WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN8G6NDJR | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $8.53 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| تنظیم | 512M x 16 | 1G x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2 V |
| پیکیج | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | FBGA-78 (78-ball TFBGA) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | BL8 |
| CAS لیٹنسی | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| خصوصیات | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset |
| Die Revision | — | B-die |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| Bank Structure | — | 16 banks, 4 bank groups |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Speed Bin | — | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) |
| Terminations | — | 78 |
| JEDEC-30 Package Code | — | R-PBGA-B78 |
| RoHS اسٹیٹس | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |