H5AN8G6NDJR vs K4A8G085WB-BCTD So sánh
So sánh chi tiết song song của H5AN8G6NDJR bằng SK hynix và K4A8G085WB-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCTD ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5AN8G6NDJR | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | — | $8,53 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Tổ chức | 512M x 16 | 1G x 8 |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | 1.2 V |
| Hộp | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | FBGA-78 (78-ball TFBGA) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | BL8 |
| Latency CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tính năng | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset |
| Die Revision | — | B-die |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| Bank Structure | — | 16 banks, 4 bank groups |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT |
| Nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Speed Bin | — | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) |
| Terminations | — | 78 |
| JEDEC-30 Package Code | — | R-PBGA-B78 |
| Trạng thái RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |