H5AN8G6NDJR vs K4A8G085WB-BCTD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NDJR توسط SK hynix و K4A8G085WB-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NDJR | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $8.53 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 512M x 16 | 1G x 8 |
| نرخ داده | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | FBGA-78 (78-ball TFBGA) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | BL8 |
| تأخیر CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| ویژگی‌ها | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset |
| Die Revision | — | B-die |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| Bank Structure | — | 16 banks, 4 bank groups |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT |
| دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Speed Bin | — | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) |
| Terminations | — | 78 |
| JEDEC-30 Package Code | — | R-PBGA-B78 |
| وضعیت RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |