H5AN8G6NDJR vs K4A8G085WB-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NDJR מאת SK hynix ו K4A8G085WB-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G6NDJR | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $8.53 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| ארגון | 512M x 16 | 1G x 8 |
| קצב נתונים | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V |
| מארז | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | FBGA-78 (78-ball TFBGA) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | BL8 |
| השהיית CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| תכונות | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset |
| Die Revision | — | B-die |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Bank Structure | — | 16 banks, 4 bank groups |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT |
| טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Speed Bin | — | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) |
| Terminations | — | 78 |
| JEDEC-30 Package Code | — | R-PBGA-B78 |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |