H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NCJR-XN موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5ANAG6NCR-VKC بذریعہ SK hynix اور H5ANAG6NCJR-XN بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5ANAG6NCJR-XN H5ANAG6NCJR-XN - 16Gb DDR4-3200 SDRAM FBGA-96 | SK hynix

H5ANAG6NCJR-XN - 16Gb DDR4-3200 SDRAM FBGA-96 | SK hynix

H5ANAG6NCJR-XN ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NCJR-XN
برانڈ SK hynix SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit —
تنظیم 2G x 8 1G x 16
انٹرفیس DDR4 (Double Data Rate 4) —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
ڈیٹا ریٹ [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] 3200 Mbps/pin (DDR4-3200)
پیکیج 96-ball FBGA FBGA-96 (96-ball)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (BGA)
Banks 16 banks (4 bank groups x 4) —
Burst Length BL8 —
Refresh Mode 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology CMOS —
Application Main memory (PC / server / embedded) —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] Compliant
Density — 16 Gbit (1G x 16)
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
Package Width — 8 mm
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC (Command/Address) — Yes
Write Leveling — Yes
Maximum Standby Current — 0.074 A (per Vyrian listing)
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں