H5TC4G63AFR-PBJ vs K4B4G1646D-BCK00 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5TC4G63AFR-PBJ بذریعہ SK hynix اور K4B4G1646D-BCK00 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5TC4G63AFR-PBJ | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gb (256M x 16) | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| پیکیج | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Temperature Grade | Industrial (-40°C to +95°C) | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| ڈیٹا ریٹ | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] | 1600 Mbps/pin |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 (at 1600 Mbps) |
| Access Time | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |