H5TC4G63MFR-PBA vs NT5CC256M16DP-DI موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5TC4G63MFR-PBA بذریعہ SK hynix اور NT5CC256M16DP-DI بذریعہ Nanya Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ فعال
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5TC4G63MFR-PBA NT5CC256M16DP-DI
برانڈ SK hynix Nanya Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
تنظیم 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (+0.100V/-0.067V) —
ڈیٹا ریٹ 1866 Mbps (PC3L-14900) 1600 Mbps/pin (800MHz)
پیکیج 96-ball FBGA VFBGA-96
Number of Banks 8 8
Burst Length BL8, BL4 (with burst chop) 8, 4 (with burst chop)
CAS Latency (CL) Programmable —
CAS Write Latency (CWL) Programmable —
Additive Latency Programmable —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Temperature-Compensated Self-Refresh Yes —
Process Technology 30nm-class —
RoHS Compliant Yes (Lead-Free & Halogen-Free) —
سپلائی وولٹیج — 1.35V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -40°C to +95°C (industrial)
CAS لیٹنسی — 11, 12, 13 (programmable)
انٹرفیس — Differential clock (CK, CK#)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes (ODT)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں