H5TC4G63MFR-PBA vs NT5CC256M16DP-DI مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5TC4G63MFR-PBA توسط SK hynix و NT5CC256M16DP-DI توسط Nanya Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5TC4G63MFR-PBA | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Nanya Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (+0.100V/-0.067V) | — |
| نرخ داده | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | VFBGA-96 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | BL8, BL4 (with burst chop) | 8, 4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | Programmable | — |
| CAS Write Latency (CWL) | Programmable | — |
| Additive Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | Yes | — |
| Process Technology | 30nm-class | — |
| RoHS Compliant | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.35V |
| محدوده دمای کاری | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| تأخیر CAS | — | 11, 12, 13 (programmable) |
| رابط | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |