IAUC50N08S5L096ATMA1 vs IAUCN08S7N034ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC50N08S5L096ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN08S7N034ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 - 80V 50A 9.6mΩ OptiMOS 5 | Infineon

IAUC50N08S5L096ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUC50N08S5L096ATMA1 IAUCN08S7N034ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 50 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A —
On-Resistance (RDS(on)) 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Power Dissipation (PD) 60 W (Tc) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C —
پیکیج PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] MSL 1 (unlimited floor life)
Series — OptiMOS™ 7
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V — 3.4 mΩ
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) — 3.2 V (typ)
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) — 1.27 nF
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) — 3.115 nF
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) — 23 pF
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 118 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55°C to +175°C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں