IAUCN04S7N009ATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N009ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC046N13NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN04S7N009ATMA1 | ISC046N13NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | 0.96 mΩ | — |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | 10 V | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55C to +175C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| MSL لیول | 1 | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 | — |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 135 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 142 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 211 W |
| پیکیج / کیس | — | PG-TDSON-8 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +175 C |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (typical) |
| Packaging | — | Tape & Reel |