IAUCN04S7N009ATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S7N009ATMA1 מאת Infineon ו ISC046N13NM6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IAUCN04S7N009ATMA1 | ISC046N13NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 175 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | 0.96 mΩ | — |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | 10 V | — |
| מארז | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| רמת MSL | 1 | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 | — |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 135 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 142 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 211 W |
| מארז / Case | — | PG-TDSON-8 |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (typical) |
| Packaging | — | Tape & Reel |