IAUCN04S7N012ATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N012ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC094N06LS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN04S7N012ATMA1 | BSC094N06LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS-7 (trench) | OptiMOS™ 5 (logic-level) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A | 47 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.2 mΩ | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Transistor Grade | Automotive (AEC-Q101) | — |
| پاور ڈسپیشن (Ptot) | [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] | — |
| Thermal Resistance RθJA | [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Polarity | N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSC094N06LS5ATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 9.4 mΩ |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 36 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 °C to +150 °C |