IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7N019DATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N019GATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7N019DATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

IAUCN04S7N019DATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
پیکیج PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-60 (SuperSO8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101 (family)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] —
Technology — OptiMOS 7 40V
Configuration — Dual N-Channel (array)
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 160 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
Input Capacitance (Ciss, typ.) — 1.465 nF
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
ESD Protection — Yes (gate integrated)
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020, family default)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں