IAUCN04S7N019GATMA1 vs IAUCN04S7N019DATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN04S7N019GATMA1 توسط Infineon و IAUCN04S7N019DATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

IAUCN04S7N019DATMA1 - 40V Dual N-Channel MOSFET Array | Infineon

IAUCN04S7N019DATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IAUCN04S7N019GATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) 147 A —
On-Resistance RDS(on) typical 1.95 mOhm —
Maximum Power Dissipation (Tc) 81 W —
بسته‌بندی PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) PG-TDSON-8-60 (SuperSO8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Substrate Compatibility IMS substrates and legacy PCB —
Automotive Qualification AEC-Q101 (per family datasheet) AEC-Q101 (family)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tape and Reel Packaging Yes (per ATMA1 suffix) —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] —
Technology — OptiMOS 7 40V
Configuration — Dual N-Channel (array)
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 160 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
Input Capacitance (Ciss, typ.) — 1.465 nF
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
ESD Protection — Yes (gate integrated)
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, family default)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت