IAUT300N08S5N011ATMA1 vs IPT012N08N5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUT300N08S5N011ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPT012N08N5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 - 80V 300A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IPT012N08N5ATMA1 - 80V 300A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IPT012N08N5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUT300N08S5N011ATMA1 IPT012N08N5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 300 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 410 A (Tj) —
R_DS(on) max 1.10 mOhm at V_GS=10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.8 V —
Total Gate Charge (Q_g) 231 nC at V_GS=10 V —
Input Capacitance (C_iss) 16.25 nF —
Output Capacitance (C_oss) 2.6 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) 130 pF —
Power Dissipation (P_D) 375 W at T_C=25C —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C -55C to +175C (TJ max)
پیکیج PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) PG-HSOF-8 (TOLL)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 —
Qualification Automotive (AEC-Q101) JEDEC JESD47, JESD22, J-STD-020 (industrial)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPT012N08N5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 300 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
On-Resistance RDS(on) Max — 1.2 mOhm
Total Gate Charge QG — 208 nC
Gate-to-Drain Charge QGD — 178 nC
Power Dissipation (PD, TC) — 375 W
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں