IAUT300N08S5N011ATMA1 vs IPT012N08N5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IAUT300N08S5N011ATMA1 bằng Infineon và IPT012N08N5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET
IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IAUT300N08S5N011ATMA1 | IPT012N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 5 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 410 A (Tj) | — |
| R_DS(on) max | 1.10 mOhm at V_GS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.8 V | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 231 nC at V_GS=10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 16.25 nF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 2.6 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | 130 pF | — |
| Power Dissipation (P_D) | 375 W at T_C=25C | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C | -55C to +175C (TJ max) |
| Hộp | PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 | — |
| Qualification | Automotive (AEC-Q101) | JEDEC JESD47, JESD22, J-STD-020 (industrial) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT012N08N5ATMA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 400 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 1.2 mOhm |
| Total Gate Charge QG | — | 208 nC |
| Gate-to-Drain Charge QGD | — | 178 nC |
| Power Dissipation (PD, TC) | — | 375 W |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |